[发明专利]中介层以及中介层的制造方法有效
| 申请号： | 200880007821.0 | 申请日： | 2008-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101632168A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 坂本一;古谷俊树;濑川博史 | 申请（专利权）人： | 揖斐电株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;陈立航 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种即使在半导体元件发热时也能够很好地缓和应力集中到通路导体等导体部的中介层，本发明的中介层的特征在于由以下部分构成：至少一层无机绝缘层；第一布线，其形成在上述无机绝缘层的内部或者表面上；至少一层有机绝缘层，其形成在最外层的无机绝缘层上以及上述第一布线上；第二布线，其形成在上述有机绝缘层的表面上；以及导体部，其连接上述第一布线和上述第二布线。 | ||
| 搜索关键词： | 中介 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中介层，其特征在于，由以下部分构成：至少一层无机绝缘层；第一布线，其形成在上述无机绝缘层的内部或者表面上；至少一层有机绝缘层，其形成在最外层的无机绝缘层上以及上述第一布线上；第二布线，其形成在上述有机绝缘层上；以及导体部，其连接上述第一布线和上述第二布线。
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