[发明专利]制造RF装置的方法及用该方法制造的RF装置有效
申请号: | 200880008151.4 | 申请日: | 2008-03-10 |
公开(公告)号: | CN101636873A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 郑铭峻 | 申请(专利权)人: | ACE技术株式会社 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;李娜娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种制造RF装置的方法。所述方法包括如下的步骤:(a)形成金属片,其中,RF装置的内部结构形成在金属片处;(b)将塑料材料外壳附着到形成的金属片;(c)在附着有塑料材料外壳的RF装置上执行镀银。 | ||
搜索关键词: | 制造 rf 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造RF装置的方法,包括如下的步骤:a)形成金属片,其中,RF装置的内部结构形成在所述金属片处;b)将塑料材料外壳附着到形成的金属片;c)在附着有塑料材料外壳的RF装置上执行镀银。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ACE技术株式会社,未经ACE技术株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880008151.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磁通脉冲电机
- 下一篇:在多层电荷俘获区域含有氘化层的非易失性电荷俘获存储器