[发明专利]透明导电膜和制造所述透明导电膜的方法以及用于所述方法的溅射靶无效
| 申请号： | 200880008181.5 | 申请日： | 2008-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101631892A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 林一郎;小高秀文 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01B5/14;H01B13/00;C04B35/457 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了适用于通过溅射法，尤其是DC溅射法、DC脉冲溅射法、AC溅射法和MF溅射法形成透明导电膜的氧化锡靶。在通过利用溅射法形成透明导电膜时要使用的溅射靶包含氧化锡作为主成分，并且包含选自由铌、钨、钽、铋和钼组成的(A)组掺杂剂的至少一种元素以及铜元素作为掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 制造 方法 以及 用于 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种用于通过溅射法形成透明导电膜的溅射靶，所述溅射靶包含氧化锡作为主成分，并且包含铜元素和选自由铌、钨、钽、铋和钼组成的A组掺杂剂的至少一种元素作为掺杂剂。
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