[发明专利]半导体元件及其制造方法、以及包括该半导体元件的电子器件有效
| 申请号： | 200880008220.1 | 申请日： | 2008-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101632179A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 浦山雅夫;川崎雅司;大野英男 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体元件及其制造方法、以及包括该半导体元件的电子器件。本发明的薄膜晶体管(1)，在绝缘性基板(2)上以规定的形状形成栅极电极(3)之后，依次叠层栅极绝缘膜(4)和在该栅极绝缘膜(4)上的作为多晶ZnO的半导体层(5)。通过将半导体层(5)浸渍在溶解有杂质的溶液中，在多晶ZnO膜的晶界部分有选择地掺杂杂质。此后，以规定的形状形成源极电极(6)和漏极电极(7)，进而叠层保护膜(8)。由此，能够实现亚阈值特性优异、并具有氧化锌膜作为活性层的基底的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 以及 包括 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于：活性层由掺杂有杂质的多晶ZnO膜构成，所述活性层的晶界部分与所述活性层的结晶部分相比以高浓度含有所述杂质。
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