[发明专利]有源矩阵基板有效

申请号：	200880008554.9	申请日：	2008-02-29
公开（公告）号：	CN101636827A	公开（公告）日：	2010-01-27
发明（设计）人：	守屋由瑞;中岛睦;海瀬泰佳;喜多诚;松木园广志;伊藤良行	申请（专利权）人：	夏普株式会社
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/20;H01L21/322;H01L29/786
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中，半导体层(110)具有与第一薄膜晶体管(130)的源极区域(132)相邻接的第一吸杂区域(112)；与第二薄膜晶体管(140)的漏极区域(146)相邻接的第二吸杂区域(114)；和第三吸杂区域(116)，其与薄膜晶体管元件(120)所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于第一薄膜晶体管(130)的沟道区域(134)与第二薄膜晶体管(140)的沟道区域(144)之间的源极区域和漏极区域中的任一个相邻接。
搜索关键词：	有源矩阵
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【主权项】：

1.一种有源矩阵基板，其包括半导体层、薄膜晶体管元件、栅极总线、源极总线、和像素电极，该薄膜晶体管元件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别具有设置在所述半导体层的源极区域、沟道区域和漏极区域，该有源矩阵基板的特征在于：所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管串联排列，所述第一薄膜晶体管位于一端，所述第二薄膜晶体管位于另一端，所述第一薄膜晶体管的源极区域具有源极接触部，所述第二薄膜晶体管的漏极区域具有漏极接触部，所述半导体层具有：与所述第一薄膜晶体管的源极区域相邻接的第一吸杂区域；与所述第二薄膜晶体管的漏极区域相邻接的第二吸杂区域；和第三吸杂区域，该第三吸杂区域与所述薄膜晶体管元件所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于所述第一薄膜晶体管的沟道区域与所述第二薄膜晶体管的沟道区域之间的源极区域和漏极区域中的至少一个相邻接。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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