[发明专利]含镁ZnO系混合单晶及其层压体和它们的制造方法无效
| 申请号： | 200880008873.X | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101688325A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 关和秀幸;小林纯;大桥直树;坂口勲 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B19/02;H01L21/368;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明，可以提供含镁ZnO系混合单晶，其特征在于，其包含带隙(Eg)为3.30＜Eg≤3.54eV的含有Mg的ZnO系半导体，且膜厚为5μm以上。另外，根据本发明，可以提供根据液相外延生长法制造含镁ZnO系混合单晶的方法，其特征在于，通过将作为溶质的ZnO和MgO与作为溶剂的PbO和Bi2O3(或者PbF2和PbO)混合并熔解，然后使基板与所得熔体直接接触，从而使含镁ZnO系混合单晶在基板上生长。 | ||
| 搜索关键词： | 含镁 zno 混合 及其 层压 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含镁ZnO系混合单晶，其特征在于，其包含带隙(Eg)为3.30＜Eg≤3.54eV的含有Mg的ZnO系半导体，且膜厚为5μm以上。
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