[发明专利]导电体的制造方法无效
| 申请号： | 200880009011.9 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101636796A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 山田直臣;一杉太郎;长谷川哲也 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;G02F1/1345;C23C14/06;H01B5/14;C23C14/08;H01L51/50;G02F1/1343;H05B33/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘多益;胡 烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能以良好的生产性制造导电性优良并且透明性良好的氧化钛类导电体的方法。该方法包括：层叠物形成工序，在该层叠物形成工序中，在基体上形成由第一前体层和第二前体层以任意顺序层叠而成的前体层叠物；以及退火工序，在该退火工序中，在还原气氛下对前体层叠物加热，然后退火，藉此由第一前体层和第二前体层形成金属氧化物层；第一前体层由包含Nb的氧化钛形成，且在进行了单层退火试验时成为包含多晶且该多晶不包含金红石型结晶的氧化钛层；第二前体层是由包含Nb的氧化钛形成的非晶氧化钛层，且在进行了单层退火试验时成为包含多晶且该多晶包含金红石型结晶的氧化钛层。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电体的制造方法，其特征在于，包括：层叠物形成工序，在该层叠物形成工序中，在基体上形成由第一前体层和第二前体层以任意顺序层叠而成的前体层叠物，以及退火工序，在该退火工序中，在还原气氛下对所述前体层叠物加热，然后退火，藉此由所述第一前体层和所述第二前体层形成金属氧化物层；所述第一前体层是氧化钛层，该氧化钛层由包含选自Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及Bi的1种或2种以上的掺杂剂的氧化钛形成，且该氧化钛层在进行了单层退火试验时成为包含多晶且该多晶不包含金红石型结晶的氧化钛层，所述第二前体层是由包含1种或2种以上所述掺杂剂的氧化钛形成的非晶氧化钛层，且该非晶氧化钛层在进行了单层退火试验时成为包含多晶且该多晶包含金红石型结晶的氧化钛层。
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