[发明专利]采用耗尽模式GaN基FET的串叠电路

摘要

一种电路包括输入漏极节点、输入源极节点和输入栅极节点。该电路还包括III族氮化物耗尽模式FET，其具有源极、漏极和栅极，其中，耗尽模式FET的栅极联接到使耗尽模式FET保持在其导通状态的电势。另外，该电路还包括增强模式FET，其具有源极、漏极和栅极。耗尽模式FET的源极串联联接到增强模式FET的漏极。耗尽模式FET的漏极用作输入漏极节点，增强模式FET的源极用作输入源极节点，并且增强模式FET的栅极用作输入栅极节点。

主权项

1.一种电路，包括：输入漏极节点、输入源极节点和输入栅极节点；具有源极、漏极和栅极的III族氮化物耗尽模式FET，其中，所述耗尽模式FET的栅极联接到使所述耗尽模式FET保持在其导通状态的电势；具有源极、漏极和栅极的增强模式FET，其中，所述耗尽模式FET的所述源极串联联接到所述增强模式FET的所述漏极，并且其中，所述耗尽模式FET的所述漏极用作所述输入漏极节点，所述增强模式FET的所述源极用作所述输入源极节点，并且所述增强模式FET的所述栅极用作所述输入栅极节点。