[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200880009111.1 | 申请日： | 2008-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101641780A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 山川真弥;馆下八州志 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强;南 霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过提高施加到晶体管的沟道部分的应力而提高电流增加效应。半导体器件设置有：侧壁绝缘膜(33、53)，具有通过移除牺牲栅极而形成的沟槽(39、59)并且形成于半导体衬底(11)上；栅电极(43、63)，经由栅极绝缘膜(41)而形成于所述沟槽(39、59)内；第一和第二应力施加膜(21、22)，分别从所述侧壁绝缘膜(33、53)之上形成于所述半导体衬底(11)上；以及源极/漏极区域(35、36、55、56)，在所述半导体衬底(11)上形成于所述栅电极(43、63)的两侧。所述应力施加膜(21、22)在形成所述第一沟槽(39)和所述第二沟槽(59)之前形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：侧壁绝缘膜，形成在半导体衬底上，具有通过移除牺牲栅极而形成的沟槽；栅电极，经由栅极绝缘膜而形成于所述半导体衬底上的所述沟槽内；应力施加膜，沿所述侧壁绝缘膜形成于所述半导体衬底上方；以及源极/漏极区域，在所述半导体衬底中形成于所述栅电极的两侧，其特征还在于：所述应力施加膜在形成所述沟槽之前形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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