[发明专利]包括由高K电介质组成的背面反射层的太阳能电池有效
申请号: | 200880009328.2 | 申请日: | 2008-03-18 |
公开(公告)号: | CN101641797A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 朴铉定 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池,其包括含有高K电介质的背面反射层。该背面反射层包括含有HfO2或ZrO2的反射膜以及含有HfSixOy、ZrSixOy或SiO2的背面钝化层。反射膜与背面钝化层形成在其上输入太阳光线的基板的后侧。因此,太阳能电池表现出极好的太阳光线的光学捕获以及较低的后侧载流子重新结合率。同时,由于反射膜与背面钝化层具有极好的热稳定性,因此有可能通过应用如热处理等的各种工艺来形成电极。 | ||
搜索关键词: | 包括 电介质 组成 背面 反射层 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1、一种太阳能电池,该太阳能电池包括:p-n结结构,该p-n结结构具有第一导电硅层、位于该第一导电硅层上且具有与该第一导电硅层相反的传导性的第二导电硅层,以及形成在所述第一导电硅层和所述第二导电硅层之间的界面处的p-n结;形成在所述第二导电硅层上的防反射层;位于所述第一导电硅层上的背面反射层,并且该背面反射层具有含有HfSixOy、ZrSixOy或SiO2的背面钝化层以及含有HfO2或ZrO2的反射膜;经过所述防反射层连接到所述第二导电硅层的前电极;以及经过所述反射膜和背面钝化层连接到所述第一导电硅层的背电极。
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