[发明专利]用于低温热清洁的方法有效
申请号: | 200880009915.1 | 申请日: | 2008-03-27 |
公开(公告)号: | CN101646801A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 园部淳;但木雄大;重本隆充;J-M·吉拉尔 | 申请(专利权)人: | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/54;B08B7/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 用于从半导体处理室表面清洁不希望有物质的方法和装置。预处理含有氟源和氧源的气体混合物以使其包括活性的氟物质。该预处理的混合物在气体存储装置中贮存一段时间,然后引入半导体处理室。引入预处理气体前,室中的温度降低到等于或低于标准操作温度的温度。通过与预处理气体混合物的化学反应可以除去或清洁不希望有的物质,而不产生等离子体或在室中的高温度条件。 | ||
搜索关键词: | 用于 温热 清洁 方法 | ||
【主权项】:
1.用于半导体处理室的低温清洁的方法,其包括:a)提供半导体处理室,其中室在室内的至少一个表面包含至少一种不希望有的物质;b)对包括氟源和氧源的第一气体混合物进行预处理以形成预处理的第一气体混合物,其中预处理的第一气体混合物包括活性氟物质;c)将预处理的第一气体混合物引入气体存储系统;d)降低室的温度至第一温度;e)从气体存储系统向半导体处理室中引入预处理的第一气体混合物;和f)通过预处理的第一气体混合物和不希望有物质之间形成反应产物的化学反应,从室的表面除去至少一种不希望有的物质,而不在室内产生等离子体或增加室的温度至高于第一温度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的