[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880010175.3 申请日: 2008-03-28
公开(公告)号: CN101646791A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 桑垣宽 申请(专利权)人: 日矿金属株式会社
主分类号: C22C9/06 分类号: C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22F1/00;C22C9/05;C22C9/10;C22F1/08;H01B1/02;H01B5/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 熊玉兰;李炳爱
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种粗大第二相粒子的生成得到抑制的Cu-Ni-Si-Co系合金。在Cu-Ni-Si-Co系合金的制造步骤中,(1)热轧是在950℃~1050℃下加热1小时以上后进行,使热轧结束时的温度在850℃以上,以15℃/s以上的冷却速度进行冷却,且(2)固溶处理在850℃~1050℃下进行,然后以15℃/s以上的冷却速度进行冷却。根据本发明,可提供一种电子材料用铜合金,其含有Ni:1.0~2.5质量%、Co:0.5~2.5质量%、Si:0.30~1.20质量%,剩余部分包含Cu及不可避免的杂质,其中,不存在粒径超过10μm的第二相粒子,在平行于压延方向的剖面上,粒径为5μm~10μm的第二相粒子为50个/mm2以下。
搜索关键词: 电子 材料 cu ni si co 铜合金 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种电子材料用铜合金,其含有Ni:1.0~2.5质量%、Co:0.5~2.5质量%、Si:0.30~1.20质量%,剩余部分包含Cu及不可避免的杂质,其中,不存在粒径超过10μm的第二相粒子,且在平行于压延方向的剖面,粒径为5μm~10μm的第二相粒子为50个/mm2以下。
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