[发明专利]溅射设备和薄膜形成方法有效
申请号: | 200880010317.6 | 申请日: | 2008-09-30 |
公开(公告)号: | CN101778961A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 千叶俊伸;吉冈胜也 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供即使对于较大的基板也能获得具有均一性的品质优异的膜并且抑制粒子和结瘤的产生的溅射设备和薄膜形成方法。本发明的溅射设备包括:真空容器(9);基板保持件(7),其用于支撑基板(6);阴极机构,其被定位成与基板(6)相对,以及第二气体导入机构,其用于将气体导入到真空容器(9)中。阴极机构具有彼此之间形成有间隙的多个靶材(1a)至(1c)和彼此之间形成有间隙的多个垫板(2a)至(2c)。多个靶材两两之间的间隙(14)比多个垫板两两之间的间隙(15)小。另外,间隙(14)与间隙(15)的至少一部分重叠。第二气体导入机构经由间隙(15)和间隙(14)导入气体。 | ||
搜索关键词: | 溅射 设备 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种溅射设备,其包括:真空容器;基板保持件,其位于所述真空容器内以支撑基板;多个垫板,其被配置成与所述基板保持件相对以支撑多个靶材;以及气体导入机构,其用于将气体导入到所述真空容器中;其中,所述多个垫板被配置成彼此之间形成有第一间隙,所述气体导入机构经由所述第一间隙导入气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能安内华股份公司,未经佳能安内华股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880010317.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:集成电路的接口多配置状态检测电路
- 下一篇:回转率控制电路
- 同类专利
- 专利分类