[发明专利]电子照相感光构件、处理盒及电子照相设备有效
申请号: | 200880010322.7 | 申请日: | 2008-03-27 |
公开(公告)号: | CN101646979A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 奥田笃;大垣晴信;北村航;上杉浩敏 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G5/05 | 分类号: | G03G5/05;G03G5/047;G03G5/147 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;闫俊萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供电子照相感光构件,和包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备,所述电子照相感光构件能够保持所述感光构件表面的高水平平滑性,并且在长期耐久期间能够改进清洁性能,以及能够抑制刮板震动和翘起的发生,能够实现良好的图像再现性。所述电子照相感光构件包括在支承体上设置的感光层。所述感光构件表面层包含含硅化合物或含氟化合物。所述电子照相感光构件中表面层的表面具有多个独立的凹陷部。所述凹陷部满足以下要求:Rdv为不小于0.1μm至不大于10.0μm,Rdv与Rpc的比,即,Rdv/Rpc为大于0.3至不大于7.0,其中Rpc表示所述凹陷部的长轴径;Rdv表示深度,所述深度表示在凹陷部中最深部与其开口表面之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 电子 照相 感光 构件 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种电子照相感光构件,其包括支承体和在支承体上形成的感光层,并在表面层中以相对于表面层全部固体物质的0.6质量%以上的量包含含硅化合物或含氟化合物,其中所述电子照相感光构件在表面的全部区域中以每单位面积(100μm×100μm)50以上至70,000以下的数量具有彼此独立的凹陷部,以及所述凹陷部各自具有大于0.3至7.0以下的各凹陷部的深度(Rdv)与长轴径(Rpc)的比Rdv/Rpc,和0.1μm以上至10.0μm以下的深度(Rdv),所述深度(Rdv)表示各凹陷部最深部与其开口表面之间的距离。
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