[发明专利]等离子体处理装置无效
申请号: | 200880010390.3 | 申请日: | 2008-02-26 |
公开(公告)号: | CN101647100A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 速水利泰 | 申请(专利权)人: | 住友精密工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能够以低成本的结构,高效且响应性良好地对处理腔室的内部进行温度控制的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括:处理腔室(11)、处理气体供给装置(20)、排气装置(40)、线圈(23)、高频电源(24)、加热器(26)、冷却装置(30)、和控制装置(50)。冷却装置(30)包括:与处理腔室(11)隔开间隔相对的冷却部件(32);向冷却部件(32)的冷却流路(32a)内供给冷却流体并使其循环的冷却流体供给部(31);和设置在冷却部件(32)与处理腔室(11)之间的环状的密封部件(35)、(36),排气装置(40)对被密封部件(35)、(36)、冷却部件(32)、处理腔室(11)包围的空间(S)内进行减压。控制装置(50)控制排气装置(40),在没有对线圈(23)施加高频电力时对空间(S)进行减压,在对线圈(23)施加高频电力时使空间(S)内为大气压。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,至少包括:具有闭塞空间,在内部收纳基板的处理腔室;向所述处理腔室内供给处理气体的气体供给机构;对所述处理腔室内进行减压的第一排气机构;施加高频电力的电力施加机构;被所述电力施加机构施加高频电力,从而使供给至所述处理腔室内的处理气体等离子体化的等离子体生成机构;加热所述处理腔室的加热机构;冷却所述处理腔室的冷却机构,其包括:具有冷却流体所流通的冷却流路,以与所述处理腔室的外表面抵接或者与所述处理腔室的外表面隔开间隔相对的方式设置的金属制的冷却部件;向所述冷却部件的冷却流路内供给所述冷却流体的冷却流体供给机构;和在所述冷却部件与处理腔室之间以与它们抵接的方式设置的环状的密封部件;对所述密封部件的环内进行减压的第二排气机构;以及控制所述气体供给机构、第一排气机构、第二排气机构、电力施加机构、加热机构和冷却机构的运行的控制机构,所述控制机构构成为:控制所述第二排气机构,使得在没有利用所述电力施加机构对所述等离子体生成机构施加高频电力时,所述密封部件的环内被减压到预先设定的压力;控制所述第二排气机构,使得在利用所述电力施加机构对所述等离子体生成机构施加高频电力时,所述密封部件的环内变为比所述预先设定的压力高的压力。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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