[发明专利]有双重帧存储部分的CCD图像拾取装置和使用该装置的方法有效
申请号: | 200880010649.4 | 申请日: | 2008-03-28 |
公开(公告)号: | CN101647120A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 桥本裕介;常定扶美;今井宪次;高田裕司 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 康建峰;苗迎华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种具有高灵敏度的紧凑图像拾取装置,其适合于空间信息检测设备。所述图像拾取装置具有在半导体衬底上布置的多个图像拾取单元(U1)。每个图像拾取单元(U1)具有:由光电转换元件(Px)组成的光接收阵列,用于产生对应于接收光量的电荷;由电荷转移元件(Py)组成的转移阵列(Y1);由电荷积聚元件组成的积聚阵列(Z1),其中每个电荷积聚元件具有比光电转换元件的饱和电荷量大的电荷存储容量;以及电荷量调整部分(D4),其被配置用于确定要从由每个光电转换元件产生的电荷中分离的不期望有的电荷的量。转移阵列和光接收阵列(X1)在竖直方向(Dv)上被布置在一行中。积聚阵列(Pz)被布置为在水平方向(Dh)上与转移阵列(Py)相邻。 | ||
搜索关键词: | 双重 存储 部分 ccd 图像 拾取 装置 使用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像拾取装置,包括在半导体衬底上形成的多个图像拾取单元,每个所述图像拾取单元包括:由光电转换元件组成的光接收阵列,其中每个光电转换元件被配置用于接收光,并且产生对应于接收光量的电荷;由电荷转移元件组成的转移阵列;由电荷积聚元件组成的积聚阵列,所述积聚阵列被配置用于积聚通过所述转移阵列从所述光接收阵列转移的电荷;以及多个控制电极,所述控制电极通过绝缘层形成在所述半导体衬底上的对应于所述光电转换元件的区域,并且用于将电荷从所述光接收阵列转移到所述转移阵列;其中,所述转移阵列和所述光接收阵列在第一方向上排列在一行中,所述积聚阵列被布置为在与所述第一方向基本上正交的第二方向上与所述转移阵列相邻,所述转移阵列和所述积聚阵列被布置在光遮蔽区域中,并且每个所述电荷积聚元件具有大于每个所述光电转换元件的饱和电荷量的电荷存储容量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的