[发明专利]抗硫化芯片电阻器及其制造方法有效
| 申请号： | 200880010666.8 | 申请日： | 2008-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101681705A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | M·贝尔曼;L·阿赫特曼 | 申请（专利权）人： | 威世科技公司 |
| 主分类号： | H01C17/28 | 分类号： | H01C17/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王 英 |
| 地址： | 美国内*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种芯片电阻器包括绝缘衬底11、利用银基金属陶瓷在衬底表面上形成的顶部端电极12、底部电极13、位于顶部端电极12之间并与它们部分交迭的电阻元件14、全部或部分覆盖电阻元件14的任选的内保护涂层15、全部覆盖内保护涂层15并部分覆盖顶部端电极12的外保护涂层16、覆盖衬底、顶部电极12和底部电极13的侧表面并部分与外保护涂层16交迭的镍电镀层17、覆盖镍层17的精整电镀层18。镍层17和外保护层16的交迭具有密封性质，因为在镍电镀过程之前对外保护层16的边缘进行金属化。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化 芯片 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种芯片电阻器，包括：位于安装在绝缘衬底上的电阻元件相对侧的上方易硫化端电极；所述电阻元件上方的不导电外保护涂层；至少一个覆盖所述绝缘衬底相对侧表面和顶部易硫化端电极的一部分的导电金属镀层，所述金属镀层通过预施加的金属层粘着到所述易硫化端电极和所述不导电外保护涂层的相邻边缘。
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