[发明专利]用于制造到达衬底的顶部接触的方法和结构有效
| 申请号： | 200880010890.7 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101657898A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 吴俊泰;何宜修 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体结构的方法包括以下步骤。提供具有顶部表面和后部表面的起始半导体衬底。通过该起始半导体衬底的顶部在起始半导体衬底中形成凹槽。在凹槽中形成半导体材料。在半导体材料中和之上形成垂直导电器，其中起始半导体衬底作为垂直导电器件的端子。起始半导体衬底的非凹槽部允许制造到达起始半导体衬底的在半导体材料之下延伸的部分的顶部接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 到达 衬底 顶部 接触 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体结构的方法，所述方法包括：提供具有顶部表面和后部表面的起始半导体衬底；穿过所述起始半导体衬底的所述顶部表面，在所述起始半导体衬底中形成凹槽；在所述凹槽中形成半导体材料；以及在所述半导体材料中和其上形成垂直导电器件，所述起始半导体衬底用作所述垂直导电器件的端子，其中，所述起始半导体衬底的非凹槽部允许制造到达所述起始半导体衬底在所述半导体材料之下延伸的部分的顶部接触。
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