[发明专利]真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质无效
申请号: | 200880010967.0 | 申请日: | 2008-03-26 |
公开(公告)号: | CN101652851A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 山口博史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质。在具有保持真空气氛的处理容器和保持真空气氛的搬送室的真空处理装置中,抑制处理容器内的残留气体向搬送室的扩散,其中,该处理容器利用处理气体进行处理并具有搬送口,该搬送室通过闸室与该处理容器的搬送口连接,并包括用于进行基板的交接的搬送机构。上述真空处理装置具有处理容器、上述搬送室、和闸阀,该闸阀设置于上述闸室,用于在上述处理容器内进行基板的处理时关闭上述搬送口,在对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口。为了抑制处理容器内的残留气体向上述搬送室扩散,在闸室中设置有闸室惰性气体供给部和闸室排气口,以在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流。由此,能够抑制处理容器内的残留气体从搬送口扩散到搬送室。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 运行 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种真空处理装置,其特征在于,包括:处理容器,其具有基板的搬送口,保持真空气氛并利用处理气体对基板进行处理;保持真空气氛的搬送室,该搬送室通过闸室与该处理容器的所述搬送口连接,并包括通过所述搬送口对所述处理容器进行基板的交接的搬送机构;闸阀,其设置于所述闸室,用于当在所述处理容器内进行基板的处理时关闭所述搬送口,当对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口;和闸室惰性气体供给部和闸室排气口,它们分别设置于所述闸室,使得至少在所述搬送口打开期间,在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流,以抑制处理容器内的残留气体向所述搬送室扩散。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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