[发明专利]电子器件以及操作电子器件的方法有效
申请号: | 200880010971.7 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN101652874A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 戴维·蒂奥·卡斯特罗;卡伦·阿滕伯勒 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 源;张天舒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 电子器件(100)包括导热结构(103)和相变结构(104),通过加热,该相变结构(104)可以在两种相态之间转换,其中,该相变结构(104)在两种相态中的至少一种相态是导电的,其中,该导热结构(103)被布置成由入射在导热结构上的辐射(106)加热,其中,该相变结构(104)热耦合到该导热结构(103),使得该相变结构(104)在辐射(106)入射在该导热结构(103)上时在这两种相态之间转换。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 以及 操作 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电子器件(100),所述电子器件(100)包括导热结构(103);可转换结构(104),通过加热,所述可转换结构(104)在至少两种状态之间转换,其中,所述可转换结构(104)在所述至少两种状态中的不同状态具有不同的电气性能;其中,所述导热结构(103)被布置得与入射在所述导热结构(103)上的辐射(106)相互作用;其中,所述可转换结构(104)耦合到所述导热结构(103),使得当所述辐射(106)入射在所述导热结构(103)上时,所述可转换结构(104)在所述至少两种状态的不同状态之间转换。
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