[发明专利]可循环热连接有效
| 申请号： | 200880011004.2 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101652846A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 约翰·特雷扎 | 申请（专利权）人： | 丘费尔资产股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/98 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 傅强国 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种建立电连接的方法，包括：在两个不同的芯片(802，804)中的每一个上设置触点对(808，810)中的一个触点，所述触点对限定它们之间的体积，所述体积容纳至少两个各自具有熔点的成分，所述成分已被选择使得加热到第一温度将在所述至少两个成分中的至少一个成分中引起改变，所述改变将产生新成分，该新成分具有第二温度的新成分熔点，所述新成分熔点高于所述第一温度和所述至少两个成分中的至少第一个成分的熔点；以及将所述触点对和所述至少两个成分加热到所述第一温度。该方法在芯片堆叠的制造中是很有用的，在堆叠的制造中保持焊料的层次是很重要的，该方法允许用于接合芯片触点的相同的成分被用在每个芯片与芯片的交界面处。 | ||
| 搜索关键词： | 循环 连接 | ||
【主权项】：
1.一种建立电连接的方法，其特征在于，包括：在两个不同的芯片中的每一个上设置触点对中的一个触点，所述触点对限定它们之间的体积，所述体积容纳至少两个各自具有熔点的成分，所述成分已被选择使得加热到第一温度将在所述至少两个成分中的至少一个成分中引起改变，所述改变将产生新成分，该新成分具有第二温度的新成分熔点，所述新成分熔点高于所述第一温度和所述至少两个成分中的至少第一个成分的熔点；以及将所述触点对和所述至少两个成分加热到所述第一温度，借此将在所述连接器对之间由所述至少两个成分中的至少一个成分形成包括所述新成分的导电通路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
