[发明专利]用于半导体材料处理设备的具有低颗粒表现的喷头电极和喷头电极总成有效
申请号: | 200880011021.6 | 申请日: | 2008-03-27 |
公开(公告)号: | CN101663417A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 安德烈亚斯·菲舍尔;拉金德尔·德辛德萨 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/285 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开用于半导体材料处理设备的喷头电极。该喷头电极的一个实施方式包括彼此粘合的顶部和底部电极。该顶部电极包括一个或多个集气室。该底部电极包括等离子暴露底部表面和多个与该集气室流体连通的气孔。还公开一种包括柔性悬于顶板的喷头电极的喷头电极总成。该喷头电极总成可与空间上与该喷头电极隔开的温度控制元件流体连通以控制该喷头电极温度。还公开在包括该喷头电极总成的等离子处理室中处理基片的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体材料 处理 设备 具有 颗粒 表现 喷头 电极 总成 | ||
【主权项】:
1.一种半导体材料处理设备的喷头电极,包括:半导体材料构成的顶部电极,包括顶部表面、在该顶部表面的气体入口和底部表面,该底部表面包括至少一个与该气体入口流体连通的集气室;和半导体材料构成的底部电极,包括粘合于该顶部电极的底部表面的顶部表面、等离子暴露底部表面和多个与该集气室流体连通的气孔。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的