[发明专利]为斜面边缘刻蚀器分配气体的方法和系统无效
| 申请号： | 200880011086.0 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101675503A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 格雷格·塞克斯顿;安德鲁·贝利三世;艾伦·舍佩 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种配置为清洁基片的斜面边缘的等离子体刻蚀处理室。该室包括底部边缘电极和限定于该底部边缘电极上方的顶部边缘电极。该顶部边缘电极和该底部边缘电极被配置为产生清洁等离子体以清洁该基片的该斜面边缘。该室包括限定穿过该处理室的顶部表面的进气口。该进气口引入处理气体以在该处理室中的一定位置激发等离子体，该位置位于该基片的轴和该顶部边缘电极之间。置激发等离子体，该位置位于该基片的轴和该顶部边缘电极之间。排气开口被限定穿过上电极组件的顶部表面，该排气开口沿着该基片的中心轴。还提供一种清洁基片的斜面边缘的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 斜面 边缘 刻蚀 分配 气体 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种配置为清洁基片的斜面边缘的等离子体刻蚀处理室，包含：围绕该等离子体处理室的基片支架的底部边缘电极，其中该基片支架被配置为接收该基片，而该底部边缘电极和该基片支架被底部电介质环彼此电性隔离；限定于该底部边缘电极上方的顶部边缘电极，该顶部边缘电极和该底部边缘电极被配置为产生清洁等离子体以清洁该基片的该斜面边缘；限定穿过该处理室的顶部表面的进气口，该进气口引入处理气体以在该处理室中的一定位置激发等离子体，该位置位于该基片的轴和该顶部边缘电极之间，该等离子体可以接触该基片的该斜面边缘的上下表面；以及限定穿过上电极组件的顶部表面的排气开口，该排气开口沿着该基片的中心轴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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