[发明专利]磁控溅射装置有效

专利信息
申请号: 200880011109.8 申请日: 2008-04-04
公开(公告)号: CN101652499A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 大见忠弘;后藤哲也;松冈孝明 申请(专利权)人: 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 雒运朴;李 伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于,提供一种通过升高靶子上的瞬时的等离子体密度而提高成膜速度的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置是如下的磁控溅射装置,其具有被处理基板、与被处理基板相面对地设置的靶子、设置于靶子的与被处理基板相反一侧的旋转磁铁,在靶子表面形成多个等离子体环,并且该等离子体环随着旋转磁铁的旋转而在旋转磁铁的轴向上产生、移动、消除。
搜索关键词: 磁控溅射 装置
【主权项】:
1.一种磁控溅射装置,是具有被处理基板、与被处理基板相面对地设置的靶子、设置于靶子的与被处理基板相反一侧的磁铁,通过利用该磁铁在靶子表面形成磁场而使等离子体封闭在靶子表面的磁控溅射装置,其特征在于,所述磁铁包括旋转磁铁体和固定外周体,所述旋转磁铁体以螺旋状设置在柱状旋转轴的周围,所述固定外周体在旋转磁铁体的周边与靶子面平行地设置,由沿着与靶子面垂直的方向被磁化的磁铁或未预先磁化的强磁性体构成,通过使所述旋转磁铁体与所述柱状旋转轴一起旋转,所述靶子表面的磁场图形随时间变动,因所述旋转磁铁体与所述固定外周体的相互作用而发生的在所述柱状旋转轴上产生的转矩处于0.1N·m到1N·m的范围。
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