[发明专利]具有倾斜真空导管的近头系统、设备和方法有效
申请号: | 200880011132.7 | 申请日: | 2008-02-22 |
公开(公告)号: | CN101652831A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | M·拉夫金;J·德拉里奥斯;F·C·雷德克;M·科罗利克;E·M·弗里尔 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 朱海煜;徐予红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种近头包括头部表面。该头部表面包括第一平坦区和多个第一导管。多个第一导管中的各个由多个第一离散孔中的对应的一个来限定。多个第一离散孔位于头部表面中并延伸通过第一平坦区。头部表面还包括第二平坦区和多个第二导管。多个第二导管由对应的多个第二离散孔限定,该多个第二离散孔位于头部表面中并延伸通过第二平坦区。头部表面还包括布置在第一平坦区和第二平坦区之间并与之相邻的第三平坦区和多个第三导管。多个第三导管由对应的多个第三离散孔限定,该多个第三离散孔位于头部表面中并延伸通过第三平坦区。第三导管以相对于第三平坦区的第一角度形成。第一角度在30度和60度之间。也描述了一种用近头处理衬底的系统和方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 倾斜 真空 导管 系统 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种近头,包括:头部表面,该头部表面包括:第一平坦区和多个第一导管,所述多个第一导管中的每个由多个第一离散孔中的对应的一个来限定,所述多个第一离散孔位于所述头部表面中并延伸通过所述第一平坦区;第二平坦区和多个第二导管,所述多个第二导管由对应多个第二离散孔来限定,所述多个第二离散孔位于所述头部表面中并延伸通过所述第二平坦区;以及第三平坦区和多个第三导管,所述第三平坦区设置在所述第一平坦区和所述第二平坦区之间并与之相邻,所述多个第三导管由对应多个第三离散孔限定,所述多个第三离散孔位于所述头部表面中并延伸通过所述第三平坦区,其中所述第三导管以相对于所述第三平坦区的第一角度形成,所述第一角度在30度和60度之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造