[发明专利]用于形成具有低接触电阻的光电组件的方法无效
| 申请号： | 200880011211.8 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101652895A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 盛殊然;蔡容基;元泰景;李立伟;崔寿永;Y·李;J·G·克鲁兹 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M10/44 | 分类号： | H01M10/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改良的PV太阳能电池结构及其制造方法。在一实施例中，光电组件包括第一光电转换单元、第一透明导电氧化物层以及第一微晶硅层，该第一微晶硅层设置于光电转换单元与透明导电氧化物层之间并与该些层接触。在另一实施例中，一种形成光电太阳能电池的方法包括：提供具有第一透明导电氧化物层设置于其上的基板；于透明导电氧化物层上沉积第一微晶硅层；以及在微晶硅层上形成第一光电转换单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 具有 接触 电阻 光电 组件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电组件(photovoltaic device)，包括：第一光电转换单元；第一透明导电氧化物层；以及第一微晶硅层，设置在该第一光电转换单元与该第一透明导电氧化物层之间，并与该第一光电转换单元与该第一透明导电氧化物层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880011211.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于多跳中继无线通信系统中的数据重传的装置和方法
- 下一篇：电池收纳机构
