[发明专利]一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液无效
| 申请号： | 200880011326.7 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101652717A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/02;C23G1/06;C11D1/83 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国上海市浦东新区张江高科技园*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液，其含有：柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液、氟化物、高分子腐蚀抑制剂、抗冻剂和溶剂。该清洗液可该清洗液可用于去除等离子刻蚀残留物，同时对非金属和金属基材，如Si、SiO2、四乙氧基硅烷二氧化硅(PETEOS)、低介质材料、Ti、Al和Cu等，具有较低的蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 等离子 刻蚀 残留物 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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