[发明专利]光伏器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880011362.3 申请日: 2008-03-24
公开(公告)号: CN101652867A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 山崎舜平;荒井康行 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 项 丹;谢喜堂
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的要点是提供一种光伏器件,其中设置在具有绝缘表面的基板或绝缘基板上的单晶半导体层用作光电转换层,且单晶半导体层设置有所谓的SOI结构,其中单晶半导体层接合到基板且绝缘层插入其间。作为具有光电转换层功能的单晶半导体层,使用通过单晶半导体基板的外层部分的分离和转移获得的单晶半导体层。
搜索关键词: 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种光伏器件,包括:布置成与具有绝缘表面的基板接触的接合层;在所述接合层上的第一电极;在所述第一电极上的单晶半导体层;形成在所述单晶半导体层中与所述第一电极相对的平面中的第一杂质半导体层;设置在所述第一杂质半导体层上的保护膜;以及与所述第一杂质半导体层接触的第二电极。
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