[发明专利]光伏器件及其制造方法有效
申请号: | 200880011362.3 | 申请日: | 2008-03-24 |
公开(公告)号: | CN101652867A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;荒井康行 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 项 丹;谢喜堂 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的要点是提供一种光伏器件,其中设置在具有绝缘表面的基板或绝缘基板上的单晶半导体层用作光电转换层,且单晶半导体层设置有所谓的SOI结构,其中单晶半导体层接合到基板且绝缘层插入其间。作为具有光电转换层功能的单晶半导体层,使用通过单晶半导体基板的外层部分的分离和转移获得的单晶半导体层。 | ||
搜索关键词: | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光伏器件,包括:布置成与具有绝缘表面的基板接触的接合层;在所述接合层上的第一电极;在所述第一电极上的单晶半导体层;形成在所述单晶半导体层中与所述第一电极相对的平面中的第一杂质半导体层;设置在所述第一杂质半导体层上的保护膜;以及与所述第一杂质半导体层接触的第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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