[发明专利]电学互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200880011580.7 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101652847A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | S·L·布奇瓦尔特;B·K·福尔曼;P·A·格鲁伯;罗载雄;史达元 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电学结构及其形成方法。该电器结构包括包含第一导电衬垫的第一衬底，包含第二导电衬垫的第二衬底，以及将第一导电衬垫电学及机械地连接到第二导电衬垫的互连结构。该互连结构包含具有圆柱或球体形状的无焊料金属芯结构，第一焊料结构，以及第二焊料结构。第一焊料结构将无焊料金属芯结构的第一部分电学及机械地连接到第一导电衬垫。第二焊料结构将无焊料金属芯结构的第二部分电学及机械地连接到第二导电衬垫。 | ||
| 搜索关键词： | 电学 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电学结构，包括：包含第一导电衬垫的第一衬底；包含第二导电衬垫的第二衬底；以及将所述第一导电衬垫电学及机械地连接到所述第二导电衬垫的互连结构，其中所述互连结构包含无焊料金属芯结构、与所述无焊料金属芯结构的第一部分直接机械接触的第一焊料结构、以及与所述无焊料金属芯结构的第二部分直接机械接触的第二焊料结构，其中所述第一焊料结构将所述无焊料金属芯结构的所述第一部分电学及机械地连接到所述第一导电衬垫，以及其中所述第二焊料结构将所述无焊料金属芯结构的所述第二部分电学及机械地连接到所述第二导电衬垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
