[发明专利]太阳能电池的氮氧化物钝化无效
申请号: | 200880011608.7 | 申请日: | 2008-04-04 |
公开(公告)号: | CN101652865A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | C·斯通 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 勇;姜 华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一个实施例涉及用于太阳能电池的结构。该结构包括其中具有P型和N型活性扩散区域的硅衬底。至少在该P型(304)和N型(302)活性扩散区域上包括了氮氧化物钝化层(402)。该结构进一步包括穿过该氮氧化物钝化层(402)至该P型(304)和N型(302)活性扩散区域的接触开口(502),和金属网格线(702和704),该金属网格线通过该接触开口(502)选择性地接触该P型(304)和N型(302)活性扩散区域。另一个实施例涉及制造太阳能电池的方法。还公开了其他实施例、方面和特征。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 氧化物 钝化 | ||
【主权项】:
1.一种制造太阳能电池的方法,该方法包括:在硅衬底上形成P型和N型活性扩散区域;在该P型和N型活性扩散区域上形成氮氧化物钝化层;形成接触开口,该接触开口穿过该氮氧化物钝化层至该P型和N型活性扩散区域;形成金属网格线,该金属网格线通过该接触开口选择性地接触该P型和N型活性扩散区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的