[发明专利]改进的高容量低成本多态磁存储器有效
| 申请号： | 200880011854.2 | 申请日： | 2008-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101711408A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | R·Y·兰杨;P·克什特波德;R·K·马尔姆霍尔 | 申请（专利权）人： | 亚达夫科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;徐予红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例包括多态电流切换磁存储器元件，其包括两个或多个磁隧道效应结(MTJ)的叠层，每个MTJ具有自由层并由在隔离层形成的播种层将其与所述叠层中的其他MTJ分开，所述叠层用于存储一位以上的信息，其中施加到所述存储器元件的不同电流电平使得切换到不同的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 容量 低成本 磁存储器 | ||
【主权项】：
一种多态电流切换磁存储器元件，包括：两个或更多个磁隧道效应结(MTJ)的叠层，每个MTJ具有自由层并通过在隔离层上形成的播种层与所述叠层中的其他MTJ分开，所述叠层用于存储一位以上的信息，其中施加到所述存储器元件的不同电流电平使得切换到不同的状态。
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