[发明专利]阻抗可变的栅控去耦合单元有效
申请号: | 200880012100.9 | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN101675521A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | D·A·托弗朗;C·代特里奇 | 申请(专利权)人: | 新思科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L27/08 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华;黄 倩 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的实施例提供一种控制包括电源轨和接地轨的功率系统中的噪声的系统。该系统包括:MOS晶体管,与去耦合电容器串行耦合于电源轨与接地轨之间;以及电感封装连接,与MOS晶体管和去耦合电容器并行耦合到电源轨。MOS晶体管、去耦合电容器和电感封装连接的组合形成谐振电路。在操作期间,该系统确定在电源轨上的Vdd信号中是否有噪声。基于存在于Vdd信号中的噪声,该系统调节MOS晶体管的阻抗以减少谐振电路在兴趣频率(ω兴趣)附近的频率范围中的噪声而不造成在其它频率的切换噪声的不必要增加。 | ||
搜索关键词: | 阻抗 可变 栅控去 耦合 单元 | ||
【主权项】:
1.一种用于控制包括电源轨和接地轨的功率系统中的噪声的装置,包括:去耦合电容器,具有耦合到所述接地轨的第一引线;MOS晶体管,与所述去耦合电容器串行耦合,其中所述MOS晶体管的源极耦合到所述电源轨,而所述MOS晶体管的漏极耦合到所述去耦合电容器上的第二引线;电感封装连接,耦合到所述电源轨,其中所述MOS晶体管和所述去耦合电容器被配置成与所述电感封装连接并行,由此形成谐振电路;以及控制电路,其输入耦合到所述电源轨而其输出耦合到所述MOS晶体管的栅极,其中所述控制电路被配置成确定Vdd信号中的噪声;其中所述控制电路被配置成基于所述Vdd信号中的所述噪声来调节向所述MOS晶体管的栅极施加的电压,由此改变所述MOS晶体管的阻抗以减少所述谐振电路在兴趣频率(ω兴趣)附近的频率范围中的噪声,而不造成在其它频率的切换噪声的不必要增加。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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