[发明专利]包括纳米线的非易失性存储器单元及其制造方法无效
| 申请号： | 200880012562.0 | 申请日： | 2008-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101675502A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 阿尔穆德纳·韦尔塔;米希尔·约斯·范杜里恩;纳德尔·阿基勒;杜尚·戈卢博维奇;穆罕默德·布特希什 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;G11C16/04;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供存储器单元(300，500)，存储器单元(300，500)包括基片(301)、沿着形成于基片(301)中的垂直沟槽延伸的纳米线(302)、环绕纳米线(302)的控制栅(303)以及形成在控制栅(303)和纳米线(302)之间的电荷储存结构(320，501)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 纳米 非易失性存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元(300，500)，存储器单元(300，500)包括：基片(301)；纳米线(302)，沿着形成于基片(301)中的垂直沟槽延伸；控制栅(303)，环绕纳米线(302)的至少一部分；电荷储存结构(320，501)，排列在控制栅(303)和纳米线(302)之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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