[发明专利]具有高K栅极电介质的CMOS电路

摘要

公开了一种CMOS结构，其中第一类型的FET包括衬里，所述衬里具有氧化物(20)和氮化物(20’)部分。氮化物部分形成衬里的边缘段。这些氮化物部分能够防止氧气到达第一类型的FET的高k介电栅极绝缘体(10)。该CMOS结构的第二类型的FET器件具有没有氮化物部分的衬里(21)。结果，暴露于氧气能够使第二类型的FET的阈值电压移动，但不会影响第一类型的FET的阈值。该公开还教导用于制造CMOS结构的方法，在所述CMOS结构中不同类型的FET器件的阈值可彼此独立地设定。

主权项

1.一种CMOS结构，包括：至少一个第一类型的FET器件，所述第一类型的FET包括：第一栅极绝缘体，包括第一高k电介质；第一衬里，其中所述第一衬里包括氧化物和氮化物部分，其中所述氮化物部分形成所述第一衬里的边缘段，且其中所述氮化物部分能够防止氧气到达所述第一高k电介质；以及至少一个第二类型的FET器件，所述第二类型的FET包括：第二栅极绝缘体，包括第二高k电介质；第二衬里，其中所述第二衬里由氧化物形成且没有氮化物部分，其中氧气能够到达所述第二高k电介质。