[发明专利]氧氮化物半导体有效
| 申请号： | 200880012789.5 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101663762A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 板垣奈穗;岩崎达哉;渡边壮俊;田透 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王 健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供氧氮化物半导体，其包含金属氧氮化物。该金属氧氮化物含有Zn和选自In、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W和Al中的至少一种元素。该金属氧氮化物具有7原子％-80原子％的N的原子组成比N/(N+O)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 | ||
【主权项】：
1.氧氮化物半导体，其包含金属氧氮化物，其中该金属氧氮化物含有Zn和选自In、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W和Al中的至少一种元素，并且其中该金属氧氮化物具有7原子％-80原子％的N的原子组成比N/(N+O)。
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