[发明专利]通过汽相沉积方法结合真空层压来制备有机发光二极管无效
| 申请号： | 200880012838.5 | 申请日： | 2008-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101663773A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | G·F·盖特纳;H·F·博尔纳 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;刘 红 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种制作有机发光二极管(OLED)的方法，该方法减少GLED中物理缺陷的形成，该方法包括：从第一和第二衬底(40、90)去除尘埃粒子；利用汽相沉积方法(50、80)分别涂覆第一和第二衬底；以及在真空中将第一和第二衬底层压在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 沉积 方法 结合 真空 层压 制备 有机 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种制作有机发光二极管的方法，包括以下步骤：提供第一和第二衬底；从所述衬底去除尘埃粒子，通过汽相沉积方法分别涂覆所述第一和第二衬底，以及在真空下将所述第一和第二衬底层压在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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