[发明专利]低K介电膜修复方法有效
| 申请号： | 200880012841.7 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101663740A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 尹秀敏;马克·威尔考克森;约翰·M·德拉里奥斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于修复低k介电膜层中的贫碳的低k材料的设备、系统及方法，包括确定含有烃基的修复化学制剂，该修复化学制剂配置为修复贫碳的低k材料，且将所确定的修复化学制剂弯月面应用于低k介电膜层，从而低k介电膜层中的贫碳的低k材料被充分暴露于该修复化学制剂弯月面而基本上修复低k材料。该修复后的低k材料显示出基本上等同的低k介电膜层的低k电介质特性。 | ||
| 搜索关键词： | 介电膜 修复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于修复基底的低k介电膜层中的贫碳的低k材料的设备，其包括：基底支撑机构，其接收和支撑基底；临近头，其配置为接收并在基底表面和临近头的相对面之间应用气体化学制剂弯月面，该气体化学制剂基本上容纳于覆盖至少部分基底表面的区域内，气体化学制剂弯月面的应用提供基底表面各向同性暴露于气体化学制剂，从而暴露于气体化学制剂的贫碳的低k材料被基本上修复，其中修复后的低k材料显示出基本上等同的低k介电膜层的低k电介质特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
