[发明专利]复合透明导体及其形成方法有效
| 申请号： | 200880012842.1 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101689568A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 大卫·琼斯;弗络瑞恩·普舍尼茨卡;希娜·关;迈克尔·A·斯贝德;杰弗瑞·沃克 | 申请（专利权）人： | 凯博瑞奥斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;G02F1/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 朦;王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了复合透明导体，其包括基于金属纳米线或者金属纳米管的第一传导介质以及基于不同类型纳米结构或连续传导膜的第二传导介质。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 透明 导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种复合透明导体，包括：包含多个金属纳米线或者多个金属纳米管的第一传导介质；以及耦合到所述第一传导介质的第二传导介质，所述第二传导介质包括第二类型的纳米结构或者连续传导膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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