[发明专利]离子源以及操作离子源电磁体的方法有效
申请号: | 200880013320.3 | 申请日: | 2008-02-26 |
公开(公告)号: | CN101681781A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | A·V·海斯;R·叶夫图霍夫;V·卡纳罗夫;B·L·德吕 | 申请(专利权)人: | 威科仪器有限公司 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J27/18;H01J27/16;H01J37/32;C23C14/35 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 邬少俊;王 英 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 离子源和操作离子源的电磁体的方法,所述方法用于产生具有可控的离子电流密度分布。所述离子源(10)包括放电室(16)和适于生成用于改变所述放电室(16)中的等离子体密度分布的磁场的电磁体(42;42a-d)。所述方法可以包括在所述放电室(16)中生成等离子体(17),通过向电磁体(42;42a-d)施加电流在所述放电空间(24)中生成并使磁场(75)成形,所述磁场对限定等离子体密度分布是有效的,从所述等离子体(17)中提取离子束(15),针对所述离子束密度测量分布轮廓,以及针对所述离子束密度,将实际的分布轮廓与期望的分布轮廓进行比较。基于所述比较,可以调整施加到所述电磁体(42;42a-d)的电流以改变所述放电空间中的磁场(75),并且从而改变所述等离子体密度分布。 | ||
搜索关键词: | 离子源 以及 操作 磁体 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用于等离子处理装置的离子源,所述离子源包括:具有放电空间的放电室,所述放电空间适于包含工作气体;适于从所述放电空间里面的所述工作气体生成等离子体的天线;以及设置成与所述放电室邻接的电磁体,所述电磁体包括由永磁材料形成的第一磁极片和第一线圈,所述第一磁极片包括管状侧壁并且所述第一线圈设置成与所述第一磁极片的所述管状侧壁邻接,所述第一线圈用于通电以在所述放电空间中生成磁场,并且所述第一磁极片用于使所述磁场成形,所述磁场用于有效地改变所述放电空间里面的所述等离子体的分布。
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