[发明专利]连接端子、使用了连接端子的半导体封装件及半导体封装件的制造方法有效
| 申请号： | 200880013501.6 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101668880A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 江尻芳则;畠山修一;有家茂晴;长谷川清 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C18/52 | 分类号： | C23C18/52;H01L23/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱 丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明改善具有置换镀金膜的连接端子的连接可靠性。一种连接端子，具有：导体层；非电解镀镍膜；第一镀钯膜，其是纯度为99质量％以上的置换镀钯膜或非电解镀钯膜；第二镀钯膜，其是纯度为90质量％以上且小于99质量％的非电解镀钯膜；置换镀金膜，其中，非电解镀镍膜、第一镀钯膜、第二镀钯膜及置换镀金膜依次层叠在导体层的一面侧，置换镀金膜位于与导体层相反侧的最表层。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 端子 使用 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种连接端子，其具有：导体层；非电解镀镍膜；第一镀钯膜，其是纯度为99质量％以上的置换镀钯膜或非电解镀钯膜；第二镀钯膜，其是纯度为90质量％以上且小于99质量％的非电解镀钯膜；和置换镀金膜，其中，所述非电解镀镍膜、所述第一镀钯膜、所述第二镀钯膜及所述置换镀金膜依次层叠在所述导体层的一面侧，所述置换镀金膜位于与所述导体层相反侧的最表层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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