[发明专利]有机半导体无效
申请号: | 200880013810.3 | 申请日: | 2008-03-28 |
公开(公告)号: | CN101668763A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | M·希尼;张卫民;L·麦克洛克 | 申请(专利权)人: | 默克专利股份有限公司 |
主分类号: | C07D495/04 | 分类号: | C07D495/04;C07F7/08;H01L51/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈 宙 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及新型取代的二苯并[d,d′]苯并[1,2-b;4,5-b’]二噻吩(DBBDT),它们的合成方法,包含它们的有机半导体材料、制品和层,和包含它们的电子器件,如有机场效应晶体管(OFET)。 | ||
搜索关键词: | 有机半导体 | ||
【主权项】:
1.式I的化合物其中R1、R2和R3彼此独立地是卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR0R00、-C(=O)X0、-C(=O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5、任选取代的甲硅烷基、或任选含一个或多个杂原子的任选取代的碳基或烃基,相邻的基团R1和R2也可以彼此或与它们所连接的苯环形成环系,R1和/或R2也可以表示H,X0是卤素,R0和R00彼此独立地是H或具有1-20个C原子的任选取代的脂族或芳族烃基。
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