[发明专利]用于抑制半导体衬底中的晶格缺陷的方法有效
| 申请号： | 200880014137.5 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101681838A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | V·莫罗兹;D·普拉玛尼克 | 申请（专利权）人： | 新思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于抑制在晶格中的掺杂剂注入之后在晶格中形成引起泄漏的缺陷的方法。该方法提供原子的压缩层，这些原子的尺寸大于晶格单元原子的尺寸。然后对该晶格退火一定的时间，该时间足以使间隙缺陷原子从压缩层逸出，并且以此方式在离压缩层一定距离处的品格中形成能量稳定的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抑制 半导体 衬底 中的 晶格 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在晶体衬底上制造半导体期间用于抑制在晶格中的掺杂剂注入之后在晶格中形成引起泄漏的缺陷的方法，所述半导体具有N型和P型区域并且具有邻近于每个区域的耗尽层，其中沟道在源极和漏极区域之间，并且栅极位于所述沟道之上，所述方法包括以下步骤：提供原子的压缩层，这些原子被选择为对所述晶格施加压应力；对所述晶格退火一定的时间，该时间足以使间隙缺陷原子从所述压缩层逸出；由此在离所述压缩层一定距离处的晶格中形成能量稳定的缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
