[发明专利]用于俘获半导体衬底内的注入损伤的方法无效
| 申请号： | 200880014157.2 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101681819A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | V·莫罗兹;D·普拉玛尼克 | 申请（专利权）人： | 新思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于使在晶格中的掺杂剂注入期间在晶格的注入区域中产生的缺陷的影响最小化的方法。所述方法开始于注入俘获原子的俘获层的步骤，俘获原子的尺寸小于晶格单元原子的尺寸。在注入之后，对该晶格退火一定的时间，该时间足以使间隙缺陷原子从缺陷区域逸出。以此方式，在俘获原子和选出的间隙原子之间形成能量稳定对。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 俘获 半导体 衬底 注入 损伤 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于使在晶格中的掺杂剂注入期间在晶格的注入区域中产生的缺陷的影响最小化的方法，包括以下步骤：注入俘获原子的俘获层，所述俘获原子被选择成有利于与晶格单元原子形成能量稳定对；对所述晶格退火一定的时间，该时间足以使间隙缺陷原子从注入引起的缺陷区域中逸出；由此在俘获原子和逸出的间隙原子之间形成能量稳定对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
