[发明专利]用于抑制晶体管阵列中的阈值电压的布局灵敏度的方法有效
| 申请号： | 200880014245.2 | 申请日： | 2008-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101681923A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | V·莫罗兹;D·普拉玛尼克 | 申请（专利权）人： | 新思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;郑 菊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于平滑集成电路布局中的阈值电压的变化的方法。该方法开始于识别与布局中的晶体管关联的复合表面。处理这样的复合表面以影响与这样的表面邻近的填隙离子的复合，由此最小化布局中的晶体管的阈值电压的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抑制 晶体管 阵列 中的 阈值 电压 布局 灵敏度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于平滑集成电路中的阈值电压的变化的方法，包括步骤：识别与MOSFET阵列中的晶体管关联的复合表面；以及处理所述复合表面以影响与这样的表面邻近的空隙原子的复合；由此最小化所述MOSFET阵列中的晶体管的阈值电压的变化。
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