[发明专利]形成具有多种类型肖特基结的晶体管的方法有效
| 申请号： | 200880014713.6 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101675526A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 拜扬·W·民 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 金 晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在衬底(12)之上形成栅电极(14)。以第一角度执行到衬底中的第一角度的金属注入，随后以第二角度执行第二角度的金属注入。第一角度的金属注入和第二角度的金属注入形成第一电流电极(20)和第二电流电极(22)。第一电流电极(20)和第二电流电极(22)中的每一个具有金属组分不同的至少两个区域。在栅电极、第一电流电极和第二电流电极之上沉积金属层。退火(30)所述金属层以形成第一电流电极和第二电流电极中的每一个中的两个肖特基结。两个肖特基结具有不同的势垒级。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 多种 类型 肖特基结 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供衬底；在所述衬底之上形成栅电极；以第一角度向所述衬底中执行第一角度的金属注入，随后以第二角度进行第二角度的金属注入，所述第一角度的金属注入和所述第二角度的金属注入形成第一电流电极和第二电流电极，所述第一电流电极和第二电流电极中的每一个具有金属组分不同的至少两个区域；在所述栅电极、第一电流电极和第二电流电极之上沉积金属层；以及退火所述金属层以在第一电流电极和第二电流电极的每一个中形成两个肖特基结，所述两个肖特基结具有不同的势垒级。
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