[发明专利]半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法有效
申请号: | 200880014836.X | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101675539A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 卡尔·恩格尔;卢茨·赫佩尔;克里斯托夫·艾克勒;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安德烈亚斯·魏玛 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 萍;陈 炜 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体芯片(1),其具有半导体本体(2),该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区(25)的半导体层序列。在半导体本体(2)上设置有反射结构(3),反射结构具有反射层(4)以及至少局部地设置在反射层和半导体本体之间的介电层结构(5)。此外,提出了一种用于制造半导体芯片的方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片(1),其具有半导体本体(2),该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区(25)的半导体层序列,其中在半导体本体(2)上设置有反射结构(3),该反射结构具有反射层(4)以及至少局部地设置在反射层(4)和半导体本体(2)之间的介电层结构(5)。
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