[发明专利]清洗由太阳能蚀刻浆料制造的太阳能电池表面开口的方法

摘要

本发明描述了一种薄硅太阳能电池，其具有背表面介电钝化层以及具有局部背面场的后接触。特别地，该太阳能电池可由厚度为50至500微米的晶体硅制成。阻挡层和介电层至少施加到硅晶片的背表面，以避免硅晶片在形成后接触时变形。对介电层形成至少一个开口。提供背面场的铝接触形成在开口中和介电层上。铝接触可通过丝网印刷含1～12原子％的硅的铝浆料，并接着在750摄氏度的温度下对其进行热处理来施加。

主权项

1.一种方法，包括：在厚度为50～200微米的薄硅晶片的掺杂基板上形成扩散层，其中所述硅晶片具有前表面和背表面；在所述硅晶片的背表面上形成旋涂介电层；在所述旋涂介电层上形成阻挡层；对所述阻挡层的1～10％的表面区域施加蚀刻浆料；在300～380摄氏度的温度下对所述蚀刻浆料进行第一热处理；以及利用含氢氟酸的溶液从开口移除残留物。