[发明专利]形成浅接合的技术有效
| 申请号： | 200880015242.0 | 申请日： | 2008-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101681820A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 爱德温·A·阿雷瓦洛;克里斯多夫·R·汉特曼;安东尼·雷诺;乔纳森·吉罗德·英格兰 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge2H6)、氮化锗(Ge3N4)、锗-氟化合物(GFn，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 接合 技术 | ||
【主权项】：
1、一种形成浅接合的方法，包括：生成包括分子离子的离子束，所述分子离子基于由二锗烷、氮化锗、GFn以及其它含锗化合物所构成群族中选出的一种或多种物质，其中n＝1、2或3；以及使所述离子束冲击半导体晶片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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