[发明专利]电阻变化型非易失性存储元件及其制作方法无效
| 申请号： | 200880015311.8 | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101681912A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 吉井重雄;山下一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L45/00;G11C13/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具备可利用简单且容易的工序实现的电流路径并能够微细化的电阻变化型非易失性存储元件。本发明的电阻变化型非易失性存储元件的特征在于，包括：第一电极(203)；在上述第一电极(203)上形成于且电阻根据施加电压而变化的氧化物半导体层(204a)；配置于上述氧化物半导体层(204a)上的、直径为2nm以上且10nm以下的金属纳米粒子(204b)；在上述氧化物半导体层(204a)上和上述金属纳米粒子(204b)上形成的隧道阻挡层(204c)；和在上述隧道阻挡层(204c)上形成的第二电极(206)，上述金属纳米粒子(204b)和上述氧化物半导体层(204a)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 变化 型非易失性 存储 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻变化型非易失性存储元件，包括：第一电极；在所述第一电极上形成且电阻根据施加电压而变化的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上配置的、直径为2nm以上且10nm以下的金属纳米粒子；在所述氧化物半导体层上和所述金属纳米粒子上形成的隧道阻挡层；和在所述隧道阻挡层上形成的第二电极，所述金属纳米粒子和所述氧化物半导体层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880015311.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
