[发明专利]阻变型非易失性存储元件

摘要

本发明提供了具有阻变型金属氧化物的非易失性存储元件。所述非易失性存储元件可在集成电路上形成一个或更多个层。每个存储元件可具有一个第一导电层、一个金属氧化物层和一个第二导电层。电子器件如二极管可与所述存储元件串联联接。所述第一导电层可由一种金属氮化物形成。所述金属氧化物层可包含与第一导电层相同的金属。所述金属氧化物层与可形成与所述第一导电层欧姆接触或肖特基接触。所述第二导电层可形成与所述金属氧化物层欧姆接触或肖特基接触。所述第一导电层、所述金属氧化物层和所述第二导电层可包括亚层。所述第二导电层可包括一个粘附层或阻障层和一个逸出功控制层。

主权项

一种阻变型非易失性存储元件，包括：第一电极；第二电极；阻变型非化学计量金属氧化物层，其介于所述第一和所述第二电极之间，其中所述第一电极和所述阻变型金属氧化物中包含相同的最流行的金属。